后摩爾時代來臨，半導體產(chǎn)業(yè)迎來加速追趕的黃金期，我們看好先進封裝、第三代半導體等領域加速發(fā)展的機遇以第三代半導體材料的電子器件為例，近年來，隨著材料生長、器件制備等技術的不斷突破，第三代半導體的優(yōu)勢逐漸在打開應用市場。未來5年，第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、航天、數(shù)據(jù)中心等場景。

第三代半導體：材料工藝是芯片研發(fā)的主旋律。新材料是芯片制造工藝中的核心挑戰(zhàn)，是提升芯片性能的的基石。

第三代半導體材料通常指的是碳化硅、氮化鎵這些更耐高壓、高溫、大電流的大功率高頻組件，以碳化硅SiC 為例，相較于傳統(tǒng)硅材料具有高系統(tǒng)穩(wěn)定度、系統(tǒng)及裝置小型化、縮短充電時間、延長電動車續(xù)航力等，而這些材料也將更適配5G時代。而先進封裝具有潛在顛覆性，系統(tǒng)級封裝(SiP)研發(fā)周期短、有節(jié)省空間的優(yōu)勢而且集成度高，能夠減少芯片的重復封裝，降低布局與排線難度使研發(fā)周期縮短而伴隨著第三代半導體運用規(guī)模擴大的同時，未來5G、智能交通、人工智能、新能源等領域也將會快速發(fā)展，以碳化硅氮化鎵為核心的第三代半導體將會大放異彩，值得期待。